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艾思荔生产的半导体芯片温度冲击试验箱冷冻系统采用进口压缩机优化设计组合,运行噪声更低,性能更优越,稳定可靠。控制器自动需求量调节冷却回路,确保压缩机正常吸排气温度,提高压缩机寿命。制冷系统采用全新冷媒需求量算法,能合理有效地利用制冷量,有效减少冷热互耗,从而达到控制稳定及节能功效,同比节约30%以上。
半导体芯片温度冲击试验箱产品规格(mm)
型号:TS-80 工作室尺寸:H×W×D400×500×400 外形尺寸: H×W×D1500×1350×1470
型号:TS-100工作室尺寸:H×W×D450×500×450 外形尺寸: H×W×D1550×1450×1550
型号:TS-150工作室尺寸:H×W×D500×600×500 外形尺寸: H×W×D1600×1550×1920
型号:TS-252工作室尺寸:H×W×D600×700×600 外形尺寸: H×W×D1700×1650×2170
型号:TS-480工作室尺寸:H×W×D750×800×800 外形尺寸: H×W×D1850×1750×2270
半导体芯片温度冲击试验箱
半导体芯片温度冲击试验箱特点优势:
1.智能控制系统,快速降温时自动启动大压缩机降温,高温保温及升温过程以小压缩机平衡温
2.度做线性控制,达到节约能源功效。
3.特殊防潮兼散热设计,不锈钢加长轴心循环马达 + 耐高/低温铝合金多翼式循环离心风轮。
4.正压式出风口设计,保证每个角落均有风循环到,达到高均匀度要求。
5.平衡式调温 P.I.D + P.W.M + S.S.R系统,温湿度控制稳定。
6.标配USB2.0接口,储存读取数据及曲线并下载到电脑查看分析储存。
7.标配RS-232C 通讯界面,可双向操控机器及电脑硬盘储存数据。
8.以60秒采样计算可记录120天历史数据及曲线功能。
9.采样速率可以由3秒钟到一小时任意设定。
10.可通过因特网远距离监控机器运行情况,及远程操控机器(选购)。
11.温度范围:内容积(W×H×D):-40~150℃  -55~150℃  -65~150℃
半导体芯片温度冲击试验箱
半导体芯片温度冲击试验箱符合标准:
GJB150.5-86温度冲击试验;
GJB360.7-87温度冲击试验;
GB/T2423.1-2001低温试验方法;
GB/T2423.2-2001高温试验方法;
GB/T2423.22-1989温度变化试验N;
国标GJB150.3-86;
国标GJB150.4-86;
国标GJB150.5-86;
SJ/T10187-91Y73系列温度变化试验箱——一箱式
SJ/T10186-91Y73系列温度变化试验箱——二箱式
满足标准IEC68-2-14_试验方法N_温度变化
GB/T 2424.13-2002试验方法温度变化试验导则
GB/T 2423.22-2002温度变化
QC/T17-92汽车零部件耐候性试验一般规则,
EIA 364-32热冲击(温度循环)测试程序的电连接器和插座的环境影响评估。
GJB367.2-87 405温度冲击试验。
半导体芯片温度冲击试验箱用途:
半导体芯片温度冲击试验箱又称为高低温冲击试验箱,模拟各种环境状态,是试验各种产品在高低温急剧冲击的情况下进行物理性变化测试的理想设备应用行业:温度冲击箱适用于电子,电器,金属,通讯,国防/航天工业,BGR,PCB板, 化学材料,高分子材料等各行业。
    以上是关于艾思荔高低温冲击试验箱的相关参数,如需了解更多关于高低温冲击试验箱保养、维护 、维修等信息,请联系我们。

半导体芯片温度冲击试验箱结构图
本文关键词:温度冲击试验箱(10)高低温冲击试验箱(7)冷热冲击试验箱(21)